IRFR120NTRPBF

更新时间： 2024-09-28 13:08:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR120NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.63	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.4 A	最大漏极电流 (ID)：	9.4 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	48 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR120NTRRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NPBF	INFINEON	类似代替	Fast Switching

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120NTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =
IRFR120PBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120T_R4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120TR	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TR	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFR120TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRL	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating