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IRFR024NTRRPBF

更新时间: 2024-11-14 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 402K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2

IRFR024NTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.1
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):71 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):17 A最大漏极电流 (ID):17 A
最大漏源导通电阻:0.075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):68 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFR024NTRRPBF 数据手册

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PD - 95066A  
IRFR024NPbF  
IRFU024NPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
12/14/04  

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