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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR1010Z | KERSEMI |
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Advanced Process Technology |
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| IRFR1010Z | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRFR1010ZPBF | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRFR1010ZTRL | KERSEMI |
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Advanced Process Technology |
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| IRFR1010ZTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR1010ZTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR1010ZTRR | KERSEMI |
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Advanced Process Technology |
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| IRFR1010ZTRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR1018E | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFR1018EPBF | INFINEON |
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HEXFET TM Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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