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IRFR110

更新时间： 2024-02-06 04:31:09
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 63K
描述
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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IRFR110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.54 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR110 数据手册

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IRFR110, IRFU110  
Data Sheet  
July 1999  
File Number 3275.3  
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power  
MOSFETs  
Features  
• 4.7A, 100V  
These are N-Channel enhancement mode silicon gate  
power field effect transistors designed, tested, and  
guaranteed to withstand a specified level of energy in the  
breakdown avalanche mode of operation. These advanced  
power MOSFETs are designed for use in applications such  
as switching regulators, switching converters, motor drivers,  
relay drivers and drivers for high-power bipolar switching  
transistors requiring high speed and low gate-drive power.  
These transistors can be operated directly from integrated  
circuits.  
• r  
= 0.540Ω  
DS(ON)  
• Single Pulse Avalanche Energy Rated  
• SOA is Power Dissipation Limited  
• Nanosecond Switching Speeds  
• Linear Transfer Characteristics  
• High Input Impedance  
o
• 175 C Operating Temperature  
• Related Literature  
Formerly developmental type TA17441.  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Ordering Information  
PART NUMBER  
IRFU110  
IRFR110  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
IFU110  
IFR110  
Symbol  
D
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
G
S
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN (FLANGE)  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
4-371  
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