是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.05 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 31 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR120TRPBF | VISHAY |
完全替代 |
IRFR120 | |
IRFR120PBF | VISHAY |
完全替代 |
IRFR120 | |
IRFR120TR | VISHAY |
完全替代 |
IRFR120 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR-120 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR1205 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=4 | |
IRFR1205 | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRFR1205 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
IRFR1205PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFR1205PBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-RESISTANCE | |
IRFR1205TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR1205TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):55V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
IRFR1205TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |