IRFR1205

更新时间： 2024-10-01 22:51:39

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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)

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IRFR1205 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR1205 数据手册

PD - 91318B

IRFR/U1205

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l Surface Mount (IRFR1205)

l Straight Lead (IRFU1205)

l Fast Switching

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 0.027Ω

l Fully Avalanche Rated

Description

I_D= 44Aꢀ

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient device for use in a wide

variety of applications.

The D-PAK is designed for surface mounting using

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

The straight lead version (IRFU series) is for through-

hole mounting applications. Power dissipation levels

up to 1.5 watts are possible in typical surface mount

applications.

D-PAK

T O -252AA

I-PAK

TO -251AA

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

44ꢀ

31ꢀ

160

107

0.71

± 20

210

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.4

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount) **

Junction-to-Ambient

R_θJA

110

www.irf.com

5/11/98

12 3 4 5 6 7...10

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IRFR1205 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR1205PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRFR1205相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1205PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR1205PBF	KERSEMI	获取价格	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR1205TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR1205TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR1205TRR	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR1205TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR120A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET

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