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IRFR1018EPBF PDF预览

IRFR1018EPBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 367K
描述
HEXFET TM Power MOSFET

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IRFR1018EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.46
Base Number Matches：1

IRFR1018EPBF 数据手册

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PD - 97129  
IRFR1018EPbF  
IRFU1018EPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in  
SMPS  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
60V  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
7.1m  
8.4m  
:
:
G
79A  
c
56A  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
dv/dt Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and  
Avalanche SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt  
Capability  
D-Pak  
I-Pak  
IRFR1018EPbF IRFU1018EPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Parameter  
Max.  
79c  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
56c  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)  
Pulsed Drain Current d  
56  
A
315  
PD @TC = 25°C  
110  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
0.76  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
21  
Peak Diode Recovery f  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
88  
47  
11  
mJ  
A
Avalanche Current d  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy g  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.32  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case k  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) jk  
Junction-to-Ambient k  
110  
Notes  through ‰ are on page 2  
www.irf.com  
1
3/8/08  
1234567...10

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IRFR1018EPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR1018ETRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD079N06L3GBTMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2405PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IRFR1018EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR1018ETR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR1018ETRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR1018ETRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR1018ETRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR110 KERSEMI

获取价格

 		Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFR110 INTERSIL

获取价格

 		4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR110 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR110, SiHFR110 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR110_R4941 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR110A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET

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