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IPD079N06L3GBTMA1 PDF预览

IPD079N06L3GBTMA1

更新时间: 2024-10-02 14:51:35
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 448K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

IPD079N06L3GBTMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:26 weeks风险等级:1.66
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):43 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0079 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPD079N06L3GBTMA1 数据手册

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IPD079N06L3GBTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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