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IRFR1018ETRPBF

更新时间： 2024-11-18 21:17:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 364K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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PD - 97129A  
IRFR1018EPbF  
IRFU1018EPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in  
SMPS  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
60V  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
7.1m  
8.4m  
:
:
G
79A  
c
56A  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
dv/dt Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and  
Avalanche SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt  
Capability  
D-Pak  
I-Pak  
IRFR1018EPbF IRFU1018EPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Parameter  
Max.  
79c  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
56c  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)  
Pulsed Drain Current d  
56  
A
315  
PD @TC = 25°C  
110  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
0.76  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
21  
Peak Diode Recovery f  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
88  
47  
11  
mJ  
A
Avalanche Current d  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy g  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.32  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case k  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) jk  
Junction-to-Ambient k  
110  
Notes  through ‰ are on page 2  
www.irf.com  
1
4/21/09  
1234567...10

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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