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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | LEAD FREE, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 雪崩能效等级（Eas）： | 88 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 79 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 56 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 315 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR1018ETRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR1018EPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET TM Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR110 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |
|
| IRFR110 | INTERSIL |
获取价格 |
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFR110 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR110, SiHFR110 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR110_R4941 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFR110A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFR110ATF | ROCHESTER |
获取价格 |
4.7A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| IRFR110ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFR110ATM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR110PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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