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IRFR1018ETRLPBF

更新时间： 2024-11-18 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	368K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRFR1018ETRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	88 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	79 A
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.0084 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	315 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR1018ETRLPBF 数据手册

PD - 97129A

IRFR1018EPbF

IRFU1018EPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in

SMPS

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

60V

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

7.1m

8.4m

79A

56A

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt

Capability

D-Pak

I-Pak

IRFR1018EPbF IRFU1018EPbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Parameter

Max.

79c

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

56c

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current d

315

P_D@T_C= 25°C

110

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.76

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

Avalanche Current d

I_AR

Repetitive Avalanche Energy g

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.32

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case k

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB Mount) jk

Junction-to-Ambient k

110

Notes through are on page 2

www.irf.com

4/21/09

12 3 4 5 6 7...10

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与IRFR1018ETRLPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1018ETRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR1018ETRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR110	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFR110	INTERSIL	获取价格	4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR110, SiHFR110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR110_R4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR110A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR110ATF	ROCHESTER	获取价格	4.7A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRFR110ATM	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET

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