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IRFR1010ZTRRPBF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR1010ZTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR1010ZTRRPBF 数据手册

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PD - 95951A  
IRFR1010ZPbF  
IRFU1010ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
D
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 7.5mΩ  
G
ID = 42A  
Description  
S
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating. These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
I-Pak  
IRFU1010ZPbF  
D-Pak  
IRFR1010ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
91  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
@ T = 100°C  
C
65  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
@ T = 25°C  
42  
C
360  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
0.9  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
± 20  
GS  
EAS (Thermally limited)  
110  
220  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
Rθ  
–––  
°C/W  
JA  
RθJA  
–––  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
09/16/10  
1234567...11

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与IRFR1010ZTRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR1018E INFINEON

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 		The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFR1018EPBF INFINEON

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 		HEXFET TM Power MOSFET
IRFR1018ETR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR1018ETRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR1018ETRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR1018ETRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR110 KERSEMI

获取价格

 		Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFR110 INTERSIL

获取价格

 		4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR110 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFR110, SiHFR110 VISHAY

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 		Power MOSFET

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