IRFR024NTRPBF

更新时间： 2024-09-24 12:26:31

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR024NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.64	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	71 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 95066A

IRFR024NPbF

IRFU024NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/14/04

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR024NTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR024NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR024PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR024R	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TR	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TRA	VISHAY	获取价格	Transistor
IRFR024TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET