IRFR024NTRPBF

更新时间： 2024-11-14 12:26:31

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IRFR024NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.64	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	71 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 95066A

IRFR024NPbF

IRFU024NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/14/04

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR024NTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR024NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
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