IRFR1205PBF

更新时间： 2024-09-28 04:23:19

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IRFR1205PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	6.88	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	69 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 95600A

IRFR/U1205PbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1205TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR1205TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR1205TRR	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR1205TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR1205TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR120A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR120ATF	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR120ATM	FAIRCHILD	获取价格	Avalanche Rugged Technology