IRFR024PBF

更新时间： 2024-01-04 16:07:08

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1986K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR024PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR024PBF 数据手册

IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFR024/SiHFR024)

0.10

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Straight Lead (IRFU024/SiHFU024)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

5.8

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU024PbF

SiHFU024-E3

IRFU024

IRFR024PbF

SiHFR024-E3

IRFR024

IRFR024TRPbF^a

SiHFR024T-E3^a

IRFR024TR^a

Lead (Pb)-free

IRFR024TRL^a

SiHFR024TL^a

SnPb

SiHFR024

SiHFR024T^a

SiHFU024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

9.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91264

S-Pending-Rev. A, 17-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFR024PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR024TRPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFR024PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR024R	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TR	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TRA	VISHAY	获取价格	Transistor
IRFR024TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TRL	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TRLA	VISHAY	获取价格	Transistor
IRFR024TRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR024TRPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFR024PBF相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR024PBF

IRFR024PBF 技术参数

IRFR024PBF 数据手册

IRFR024PBF 替代型号

与IRFR024PBF相关器件

与IRFR024PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR024PBF

IRFR024PBF 技术参数

IRFR024PBF 数据手册

IRFR024PBF 替代型号

与IRFR024PBF相关器件

与IRFR024PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？