Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRFL024ZPBF

IRFL024ZPBF

更新时间： 2024-11-15 23:13:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	192K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFL024ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	53 weeks
风险等级：	7.69	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	5.1 A
最大漏源导通电阻：	0.0575 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFL024ZPBF 数据手册

PD - 95250

_{AUTOMOTIVE MOSFET}IRFL024ZPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Features

ꢀ

Advanced Process Technology

V_DSS= 55V

UltraLowOn-Resistance

150°COperatingTemperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

R_DS(on)= 57.5mΩ

I_D= 5.1A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this

HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

silicon area. Additional features of this design are a

150°C junction operating temperature, fast switching

speed and improved repetitive avalanche rating . These

features combine to make this design an extremely

efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-

tions and a wide variety of other applications.

SOT-223

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited) ꢀ

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V ꢀ

Pulsed Drain Current ꢁ

5.1

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

4.1

2.8

Power Dissipation ꢀ

@T_A= 25°C

1.0

Power Dissipation ꢂ

W/°C

0.02

± 20

Linear Derating Factor ꢀ

Gate-to-Source Voltage

E_{AS (Thermally limited)}

Single Pulse Avalanche Energyꢃ

E_AS(Tested )

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ꢄ

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Avalanche Current

ꢁ

E_AR

Repetitive Avalanche Energy ꢅ

Operating Junction and

-55 to + 150

Storage Temperature Range

°C

STG

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount, steady state) ꢀ

Junction-to-Ambient (PCB mount, steady state) ꢂ

°C/W

–––

120

www.irf.com

05/25/04

12 3 4 5 6 7...10

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IRFL024ZPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFL024Z	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFL024ZTRPBF	INFINEON	功能相似	Advanced Process Technology

与IRFL024ZPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL024ZTR	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFL024ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFL1006	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.22ohm, Id=1.6A)
IRFL1006PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFL1006TR	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFL1006TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFL110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)
IRFL110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL110, SiHFL110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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