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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFBC40STRR
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IRFBC40STRR

更新时间： 2024-11-24 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 591K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRFBC40STRR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.01
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：570 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFBC40STRR 数据手册

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IRFBC40, SiHFBC40  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
600  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
1.2  
RoHS*  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
60  
8.3  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
30  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFBC40PbF  
SiHFBC40-E3  
IRFBC40  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFBC40  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
20  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
6.2  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
3.9  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
25  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
570  
6.2  
EAR  
13  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
TC = 25 °C  
PD  
125  
3.0  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 27 mH, RG = 25 Ω, IAS = 6.2 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 6.2 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91115  
S-81303-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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与IRFBC40STRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFBC40STRRPBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC42 HARRIS

获取价格

 		6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFBC42-010 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC42R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220AB
IRFBE20 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
IRFBE20 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFBE20PBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFBE20PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFBE22 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE22-006PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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