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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBC42R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFBE20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) |
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| IRFBE20 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBE20PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBE20PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBE22 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBE22-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBE22-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBE30 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) |
|
| IRFBE30 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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