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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBE22 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBE22-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBE22-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBE30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) |
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| IRFBE30 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBE30 | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |
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| IRFBE30L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBE30L | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFBE30LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBE30LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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