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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.02 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBC42 | HARRIS |
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6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFBC42-010 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBC42R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220AB |
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| IRFBE20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) |
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| IRFBE20 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBE20PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBE20PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBE22 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBE22-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBE22-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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