IRFBC40SPBF

更新时间： 2024-10-15 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFBC40SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.1
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
最大漏极电流 (ID)：	6.2 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBC40SPBF 数据手册

IRFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40S, SiHFBC40L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount (IRFBC40S/SiHFBC40S)

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

•

Low-Profile Through-Hole (IRFBC40L, SiHFBC40L)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.2

RoHS*

• Available in Tape and Reel (IRFBC20S,

SiHFBC20S)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.3

_gs(nC)

_gd(nC)

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

N-Channel MOSFET

2.0

W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRFBC40L/SiHFBC40L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFBC40SPbF

SiHFBC40S-E3

IRFBC40S

D²PAK (TO-263)

IRFBC40STRLPbF^a

SiHFBC40STL-E3^a

IRFBC40STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRFBC40LPbF

SiHFBC40L-E3

IRFBC40L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC40S

SiHFBC40STL^a

SiHFBC40L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage^e

Gate-Source Voltage^e

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

6.2

3.9

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a,e

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

570

6.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

_C= 25 °C

130

3.1

3.0

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

P_D

T_A= 25 °C

dV/dt

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91116

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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IRFBC40SPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBC40STRLPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRFBC40S	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRFBC20SPBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET

与IRFBC40SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBC40STRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC40STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC42	HARRIS	获取价格	6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFBC42-010	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC42R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 5.4A I(D) \| TO-220AB
IRFBE20	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
IRFBE20	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE20PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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