IRF7413ZTR

更新时间： 2024-02-18 23:10:15

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Control FET for Notebook Processor Power

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IRF7413ZTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZTR 数据手册

IRF7413Z

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 250µA

-75 -50 -25

75 100 125 150

100

125

150

, Temperature ( °C )

, Ambient Temperature (°C)

Fig 9. Maximum Drain Current vs.

Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature

AmbientTemperature

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

R₁

R₂

R₃

R₄

Ri (°C/W) τi (sec)

0.02

0.01

1.8556

2.4927

25.570

20.340

0.000337

0.012752

0.691000

21.90000

^Jτ_J

^Cτ

¹τ₁

²τ₂

³τ₃

⁴τ₄

0.1

Ci= τi/Ri

SINGLE PULSE

0.01

0.001

( THERMAL RESPONSE )

Notes:

1. Duty factor D =

2. Peak T

/ t

+ T

thJA

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

, Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient

www.irf.com

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