IRF7413ZTR

更新时间： 2024-01-07 22:11:10

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	272K
描述
Control FET for Notebook Processor Power

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7413ZTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZTR 数据手册

IRF7413Z

Driver Gate Drive

P.W.

D =

Period

D.U.T

Period

=10V

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T. I Waveform

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

Diode Recovery

dv/dt

V_DD

Re-Applied

Voltage

• dv/dt controlled by R_G

R_G

Body Diode

Forward Drop

• Driver same type as D.U.T.

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

Inductor Curent

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel

HEXFET^®Power MOSFETs

Vds

Vgs

Vgs(th)

Qgs1

Qgs2

Qgd

Qgodr

Fig 16. Gate Charge Waveform

www.irf.com

1...4 5 678 9 10

下载PDF

与IRF7413ZTR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF7413ZTRPBF	INFINEON	Control FET for Notebook Processor Power	获取价格
IRF7413ZUPBF	INFINEON	HEXFT Power MOSFET	获取价格
IRF7413ZUTRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRF7416	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)	获取价格
IRF7416PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF7416PBF-1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格