IRF7413ZTR

更新时间： 2024-02-21 02:26:58

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Control FET for Notebook Processor Power

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IRF7413ZTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZTR 数据手册

IRF7413Z

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Min. Typ. Max. Units

30 ––– –––

Conditions

V_GS= 0V, I_D= 250µA

BV_DSS

∆ΒV_DSS/∆T_J

R_DS(on)

Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.025 –––

V/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

mΩ

Static Drain-to-Source On-Resistance –––

–––

8.0

V_GS= 10V, I_D= 13A

10.5

V_GS= 4.5V, I_D= 10A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

1.35 1.80 2.25

∆V_GS(th)/∆T_J

I_DSS

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

–––

-5.0

–––

9.5

3.0

1.0

3.0

2.5

4.0

5.6

2.3

8.7

6.3

––– mV/°C

1.0

150

100

-100

–––

µA V_DS= 24V, V_GS= 0V

V_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

I_GSS

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

_GS= 20V

V_GS= -20V

_DS= 15V, I_D= 10A

gfs

Q_g

–––

Q_gs1

Q_gs2

Q_gd

Q_godr

Q_sw

Q_oss

R_G

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

Post-Vth Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

–––

4.5

V_DS= 15V

nC V_GS= 4.5V

I_D= 10A

Gate Charge Overdrive

See Fig. 16

Switch Charge (Q_gs2+ Q_gd

Output Charge

)

nC V_DS= 15V, V_GS= 0V

Ω

Gate Resistance

Turn-On Delay Time

Rise Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

–––

V_DD= 16V, V_GS= 4.5V

_D= 10A

Turn-Off Delay Time

Fall Time

Clamped Inductive Load

3.8

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

––– 1210 –––

V_GS= 0V

–––

270

140

–––

pF V_DS= 15V

ƒ = 1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

Avalanche Characteristics

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AS

I_AR

Diode Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I_S

Continuous Source Current

–––

3.1

MOSFET symbol

(Body Diode)

showing the

I_SM

Pulsed Source Current

–––

100

integral reverse

(Body Diode)

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

–––

1.0

T = 25°C, I = 10A, V = 0V

T = 25°C, I = 10A, V_DD= 15V

J F

Q_rr

t_on

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

nC di/dt = 100A/µs

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF7413ZTRPBF	INFINEON	Control FET for Notebook Processor Power	获取价格
IRF7413ZUPBF	INFINEON	HEXFT Power MOSFET	获取价格
IRF7413ZUTRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRF7416	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)	获取价格
IRF7416PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF7416PBF-1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格

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