是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.27 | 雪崩能效等级(Eas): | 260 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.011 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 58 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7413 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A) | |
FDS6294 | FAIRCHILD |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7413PBF-1_15 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SO-8 Package | |
IRF7413QPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7413QPBF_10 | INFINEON |
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HEXFETPOWERMOSFET | |
IRF7413QTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IRF7413TR | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF7413TR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
IRF7413TRPBF | INFINEON |
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fast suitching | |
IRF7413TRPBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, | |
IRF7413Z | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7413ZGPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |