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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 58 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7413 | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A) |
|
| FDS6294 | FAIRCHILD |
功能相似 |
30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
|
| STS11NF30L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7413PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
|
| IRF7413QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7413QPBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPOWERMOSFET |
|
| IRF7413QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF7413TR | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF7413TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IRF7413TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
fast suitching |
|
| IRF7413TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, |
|
| IRF7413Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7413ZGPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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