是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.27 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 260 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0135 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 58 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7413GPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF7413GTRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology | |
IRF7413PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7413PBF-1 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SO-8 Package | |
IRF7413PBF-1_15 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SO-8 Package | |
IRF7413QPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7413QPBF_10 | INFINEON |
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HEXFETPOWERMOSFET | |
IRF7413QTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IRF7413TR | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF7413TR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |