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IRF7413APBF

更新时间： 2024-11-21 21:19:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	236K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

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IRF7413APBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	58 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413APBF 数据手册

PD - 95303

IRF7413APbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Generation V Technology

l Ultra Low On-Resistance

l N-ChannelMosfet

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Dynamic dv/dt Rating

l Fast Switching

V_DSS= 30V

R_DS(on)= 0.0135Ω

l Lead-Free

Top View

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient

and reliable device for use in a wide variety of applications.

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of power

applications. With these improvements, multiple devices

can be used in an application with dramatically reduced

board space. The package is designed for vapor phase,

infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation

of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount

application.

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

8.4

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

mW/°C

Linear Derating Factor

0.02

± 20

260

5.0

V_GS

Gate-to-Source Voltage

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

dv/dt

T_J,T_STG

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

9/30/04

12 3 4 5 6 7...9

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与IRF7413APBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7413GPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF7413GTRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology
IRF7413PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7413PBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7413PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7413QPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7413QPBF_10	INFINEON	获取价格	HEXFETPOWERMOSFET
IRF7413QTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7413TR	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF7413TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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