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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.66 | 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7341IPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341Q | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341QPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7341QTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7341QTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7341TR | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7341TRPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7342 | INFINEON |
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Power MOSFET |
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