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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF734-019PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7341 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341G | INFINEON |
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers |
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| IRF7341GPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341GTRPbF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341IPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341Q | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341QPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7341QTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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