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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.9 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7341 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341G | INFINEON |
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers |
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| IRF7341GPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341GTRPbF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341IPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341Q | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341QPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7341QTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7341QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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