是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.23 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 4.9 A |
最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF734-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF734-019PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF7341 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7341G | INFINEON |
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers | |
IRF7341GPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRF7341GTRPbF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRF7341IPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7341PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7341Q | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF7341QPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |