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IRF734-018

更新时间: 2024-11-13 14:26:47
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威世 - VISHAY 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF734-018 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.23Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):4.9 A
最大漏源导通电阻:1.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF734-018 数据手册

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