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IRF6646TRPBF

更新时间： 2024-09-09 11:47:23

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6页	2514K
描述
Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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IRF6646TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.91	Samacsys Description：	INFINEON - IRF6646TRPBF - MOSFET, N-CH, 80V, 68A, DIRECTFET MN
雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	68 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	89 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

Benchmark MOSFETs

Product Selection Guide

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF6646	INFINEON	类似代替	DirectFET Power MOSFET
IRF6646TR1PBF	INFINEON	功能相似	Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF6648	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET
IRF6648PBF	INFINEON	获取价格	DirectFETPower MOSFET
IRF6648TR1	INFINEON	获取价格	RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide
IRF6648TR1PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF6648TRPBF	INFINEON	获取价格	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide
IRF6655	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
IRF6655PBF	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET
IRF6655TR1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF6655TR1PBF	INFINEON	获取价格	Application Specific MOSFETs
IRF6655TRPBF	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET