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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.8 | 雪崩能效等级（Eas）： | 39 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF6662TR1PBF | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6665 | INFINEON |
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DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRF66651PBF | INFINEON |
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Latest MOSFET Silicon technology |
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| IRF6665PBF | INFINEON |
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Latest MOSFET Silicon technology |
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| IRF6665PBF_15 | INFINEON |
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| IRF6665TR1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF6665TR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRF6665TRPBF | INFINEON |
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| IRF6668 | INFINEON |
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DirectFET Power MOSFET |
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| IRF6668PBF | INFINEON |
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| IRF6668TRBF | INFINEON |
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