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IRF630FI

更新时间: 2024-01-16 00:45:04
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

IRF630FI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.03
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):250 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF630FI 数据手册

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