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BUK444-200A

更新时间： 2024-02-28 01:10:02
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
PowerMOS transistor

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BUK444-200A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BUK444-200A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product Specification  
PowerMOS transistor  
BUK444-200A/B  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic full-pack envelope.  
The device is intended for use in  
Switched Mode Power Supplies  
(SMPS), motor control, welding,  
DC/DC and AC/DC converters, and  
in general purpose switching  
applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
MAX.  
UNIT  
BUK444  
-200A  
200  
5.3  
25  
0.4  
-200B  
200  
4.7  
25  
0.5  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state  
resistance  
V
A
W
Ω
Ptot  
RDS(ON)  
PINNING - SOT186  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
case  
gate  
2
drain  
g
3
source  
case isolated  
1
2 3  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
200  
200  
30  
V
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
-
-200A  
5.3  
-200B  
ID  
Drain current (DC)  
Ths = 25 ˚C  
Ths = 100 ˚C  
Ths = 25 ˚C  
-
-
-
4.7  
3.0  
19  
A
A
A
ID  
Drain current (DC)  
3.3  
IDM  
Drain current (pulse peak value)  
21  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
Ths = 25 ˚C  
-
-
-
- 55  
-
25  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to with heatsink compound  
-
-
-
5
-
K/W  
K/W  
heatsink  
Thermal resistance junction to  
ambient  
55  
April 1993  
1
Rev 1.100  
1234567

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BUK444-200A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF630FI STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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BUK444-200B,127 NXP

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