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IRF630M

更新时间： 2024-01-15 09:02:36
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 345K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

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IRF630M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF630M 数据手册

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IRF630M  
IRF630MFP  
N-CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
IRF630M  
IRF630FPM  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
200 V  
200 V  
< 0.40 Ω  
< 0.40 Ω  
9 A  
9 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.35 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This power MOSFET is designed using the compa-  
ny’s consolidated strip layout-based MESH OVER-  
LAY™ process. This technology matches and  
improves the performances compared with standard  
parts from various sources.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
Isolated TO-220 option simplifies assembly and cuts  
risk of accidental short circuit in crowded monitor  
PCB’s.  
.APPLICATIONS  
■
MONITOR DISPLAYS  
■
GENERAL PURPOSE SWITCH  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
IRF630M  
IRF630MFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
200  
200  
± 20  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
9
5.7  
36  
75  
0.6  
5
9 (**)  
5.7 (**)  
36  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
30  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.24  
5
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
--  
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤9A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(**) Limited only by Maximum Temperature Allowed  
October 2001  
1/9  
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IRF630M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF630MFP STMICROELECTRONICS

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