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IRF630NSTRL PDF预览

IRF630NSTRL

更新时间： 2024-01-27 07:38:33
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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11页 155K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB

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IRF630NSTRL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF630NSTRL 数据手册

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PD - 94005A  
IRF630N  
IRF630NS  
IRF630NL  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 200V  
l Fully Avalanche Rated  
l Ease of Paralleling  
RDS(on) = 0.30Ω  
G
l Simple Drive Requirements  
Description  
ID = 9.3A  
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
S
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in a wide  
variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevels  
to approximately 50 watts. The low thermal resistance and  
low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of its  
low internal connection resistance and can dissipate up to  
2.0W in a typical surface mount application.  
D2Pak  
IRF630NS  
TO-262  
IRF630NL  
TO-220AB  
IRF630N  
The through-hole version (IRF630NL) is available for low-  
profile application.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
9.3  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
6.5  
A
37  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
82  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.5  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
94  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
9.3  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt †  
Operating Junction and  
8.2  
mJ  
V/ns  
8.1  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew„  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
www.irf.com  
1
10/11/00  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF630NSTRLPBF INFINEON

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