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IRF630S

更新时间： 2024-11-21 12:56:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
Power MOSFET

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IRF630S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF630S 数据手册

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IRF630S, SiHF630S  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• Surface Mount  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
R
DS(on) ()  
VGS = 10 V  
0.40  
Qg (Max.) (nC)  
43  
7.0  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
23  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
D2PAK (TO-263)  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The D2PAK is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0 W in a typical surface mount application.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
SiHF630S-GE3  
IRF630SPbF  
D2PAK (TO-263)  
SiHF630STRL-GE3a  
IRF630STRLPbFa  
SiHF630STL-E3a  
D2PAK (TO-263)  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHF630STRR-GE3a  
IRF630STRRPbFa  
SiHF630STR-E3a  
Lead (Pb)-free  
SiHF630S-E3  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
9.0  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
T
5.7  
36  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.59  
0.025  
250  
9.0  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
EAS  
IAR  
mJ  
A
EAR  
7.4  
mJ  
T
C = 25 °C  
74  
PD  
W
TA = 25 °C  
3.0  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
5.0  
V/ns  
Document Number: 91032  
S11-1047-Rev. C, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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