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IRF630STRLPBF

更新时间： 2024-02-20 17:56:47

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
9页	175K
描述
Power MOSFET

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IRF630STRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF630STRLPBF 数据手册

IRF630S, SiHF630S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.40

Q_g(Max.) (nC)

7.0

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

D²PAK (TO-263)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate up

to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF630S-GE3

IRF630SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHF630STRL-GE3^a

IRF630STRLPbF^a

SiHF630STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF630STRR-GE3^a

IRF630STRRPbF^a

SiHF630STR-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHF630S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

9.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

0.025

250

9.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

E_AS

I_AR

E_AR

7.4

_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

3.0

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

5.0

V/ns

Document Number: 91032

S11-1047-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与IRF630STRLPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF630STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF630STRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF630T	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630U	MOTOROLA	获取价格	9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF630U2	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630UA	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630WC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF631	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
IRF631	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF631	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 150V 9A

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