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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF631 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
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| IRF631 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 150V 9A |
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| IRF631 | RENESAS |
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9A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF631-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF631-004PBF | INFINEON |
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9A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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