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IRF630S

更新时间： 2024-02-11 15:03:36
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET

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IRF630S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF630S 数据手册

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IRF630S  
2
N - CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A - D PAK  
MESH OVERLAY MOSFET  
TYPE  
IRF630S  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
200 V  
< 0.40 Ω  
9 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
3
1
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
This power MOSFET is designed using the  
company’s consolidated strip layout-based MESH  
OVERLAY process. This technology matches  
and improves the performances compared with  
standardparts from various sources.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
200  
± 20  
9
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
5.7  
A
IDM( )  
36  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
70  
W
Derating Factor  
0.56  
5
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 9A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
December 1998  
12345678

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