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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.03 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF630R | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF630S | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF630S | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET |
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| IRF630S | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| IRF630S | TRSYS |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF630S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF630S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
|
| IRF630S (KRF630S) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| IRF630S, SiHF630S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF630SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = |
|
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