IRF630S

更新时间： 2024-09-29 04:23:15

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Power MOSFET

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IRF630S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

IRF630S 数据手册

IRF630S

Power MOSFET

V_{DSS =}200V, R_DS(on)= 0.40 ohm, I_D= 9.0 A

N Channel

Symbol

ELECTRICAL CHARACTERISICS at

C Maximum. Unless stated Otherwise

Tj = 25

Value

Typ

Unit

Volt

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

Test Conditions

_DC,I_D= 250µA

Max

Min

200

Drain to Source Breakdown Voltage

Drain to Source Leakage Current

V_GS= 0 V

V_DS= 200V_DC, V_GS= 0V_DC

V_DS= 160V_DC, V_GS= 0V_DC

I_DSS

250

µA

Tj=125

V_GS= +20V_DC

V_GS= -20V_DC

100

-100

I_GSS

Gate to Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

I_D= 250µA

2.0

4.0

V_DS= V_GS

Volt

R_DS(on)V_GS= 10V_DC, I_D= 3.1A

0.40

Static Drain to Source On - Resistance

Q_G

Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

7.0

I_D= 5.9A

Q_GS

V_DS= 160V_DC

_GS= 10V_DC

Q_GD

C_ISS

Input Capacitance

Output Capacitance

Transfer Capacitance

800

240

C_OSS

C_RSS

V_DS= 25V_DC, V_GS= 0V_DC, f = 1.0MHZ

Turn On Delay Time

Turn Off Delay Time

Rise Time

(on)

9.4

_DD= 100V_DC, I_D= 5.9A, R_G= 12

_D= 16

(off)

Fall Time

Continuous Source Current

Pulsed Source Current

Forward Voltage (Diode)

I_S

I_SM

V_SD

9.0

2.0

V_GS= 0V_DC, I_S=9.0A,

Tp = 300µS

(Tj = 25 C unless stated otherwise)

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Condition

Symbol

V_GS

Value

Unit

Volt

Amp

Gate to Source Voltage

+/- 20V

200

Drain to Source

Voltage

Continuous Drain Current

V_DSS

I_D

9.0

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current

Amp

Total Power Dissapation

(T_A= 25 C)

Thermal Resistance

(Junction to Ambient)

R_TH

C/W

(J-A)

Maximum Operating Temperature Range (Tj) -55 to +150

Maximum Storage Temperature Range (Tstg) -55 to +150

Mechanical Dimensions

DIMENSIONS

Case SMB 220 Plastic

Millimetres

Inches

Dim

Min

Max

10.67

15.88

1.65

9.65

1.78

4.83

1.40

1.400

2.79

0.77

Min Max

9.85

14.61

0.380 0.420

0.575 0.625

0.065

1 - Gate

2 & 4 - Drain

3 - Source

8.51

1.27

4.08

1.14

1.15

1.78

0.38

0.335 0.380

0.050 0.070

0.180 0.190

0.045 0.055

0.070 0.110

0.015 0.029

0.10 Pitch

2.54 Pitch

0.51

0.99

0.89

0.020 0.038

0.020 0.35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF630S (KRF630S)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
IRF630S, SiHF630S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF630SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) =
IRF630ST4	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-263AB
IRF630STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF630STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF630STRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF630T	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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