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IRF630NS PDF预览

IRF630NS

更新时间： 2024-11-18 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 206K
描述
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з

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IRF630NS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
雪崩能效等级（Eas）：94 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.3 A最大漏极电流 (ID)：9.3 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：82 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF630NS 数据手册

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January 2002  
IRF630N/IRF630NS/IRF630NL  
N-Channel Power MOSFETs  
200V, 9.3A, 0.30Ω  
•
•
Peak Current vs Pulse Width Curve  
UIS Rating Curve  
Features  
•
•
Ultra Low On-Resistance  
= 0.200Ω (Typ), V = 10V  
-
r
DS(ON)  
GS  
Simulation Models  
©
-
Temperature Compensated PSPICE® and SABER  
Electrical Models  
©
-
Spice and SABER Thermal Impedance Models  
SOURCE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
D
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
G
DRAIN  
(FLANGE)  
S
TO-263  
TO-262  
TO-220  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
200  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
9.3  
6.5  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
I
D
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V)  
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
94  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
Derate above 25 C  
mJ  
W
AS  
D
82  
0.55  
o
o
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-262, TO-263  
1.83  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262, TO-263  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
40  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
630N  
Device  
IRF630NS  
IRF630NL  
IRF630N  
Package  
TO-263AB  
TO-262AA  
TO-220AB  
Reel Size  
330mm  
Tube  
Tape Width  
Quantity  
800 units  
50  
24mm  
N/A  
630N  
630N  
Tube  
N/A  
50  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF630NSL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF630NSRPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRF630NSS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSTRL INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
IRF630NSTRLPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF630NSTRR INFINEON

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IRF630NSTRR NJSEMI

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 		Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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