IRF630NS

更新时间： 2024-11-17 22:31:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
11页	155K
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)

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IRF630NS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.04
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	9.3 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF630NS 数据手册

PD - 94005A

IRF630N

IRF630NS

IRF630NL

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 200V

l Fully Avalanche Rated

l Ease of Paralleling

R_DS(on)= 0.30Ω

l Simple Drive Requirements

Description

I_D= 9.3A

Fifth Generation HEXFET^®Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

silicon area. This benefit, combined with the fast switching

speed and ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer with an

extremely efficient and reliable device for use in a wide

variety of applications.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevels

to approximately 50 watts. The low thermal resistance and

low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

2.0W in a typical surface mount application.

D²Pak

IRF630NS

TO-262

IRF630NL

TO-220AB

IRF630N

The through-hole version (IRF630NL) is available for low-

profile application.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

9.3

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

6.5

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.5

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

9.3

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

8.2

V/ns

8.1

-55 to +175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

www.irf.com

10/11/00

12 3 4 5 6 7...11

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IRF630NS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF630NSTRLPBF	INFINEON	类似代替	暂无描述
IRF630NSTRRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRF630NS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF630NSL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF630NSRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF630NSS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF630NSTRL	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9.3A I(D) \| TO-263AB
IRF630NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF630NSTRR	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9.3A I(D) \| TO-263AB
IRF630NSTRR	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF630NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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