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STP10NB20FP

更新时间： 2024-09-27 22:21:15
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 124K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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STP10NB20  
STP10NB20FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PowerMESH  
MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP10NB20  
STP10NB20FP  
200 V  
200 V  
< 0.40 Ω  
< 0.40 Ω  
10 A  
6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.3 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP10NB20 STP10NB20FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
200  
200  
V
V
± 30  
V
10  
6
6
4
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
40  
40  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
85  
30  
W
Derating Factor  
0.68  
5.5  
0.24  
5.5  
W/oC  
V/ns  
V
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
2000  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 10A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/9  
November 1997  
1234567...9

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STP10NB20FP 替代型号

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