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2SK2520-01MR

更新时间: 2024-01-20 14:08:45
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 167K
描述
N-channel MOS-FET

2SK2520-01MR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F15
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:30 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):80 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

2SK2520-01MR 数据手册

 浏览型号2SK2520-01MR的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK2520-01MR  
FAP-II Series  
200V 0,4W 10A 30W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Avalanche Proof  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
200  
DS  
Drain-Gate-Voltage(RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
200  
V
DGR  
I
10  
40  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
30  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
200  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=200V  
VGS=0V  
VGS=±30V  
ID=5A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
2,5  
3,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
100  
0,4  
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
0,35  
4,5  
500  
110  
50  
DS(on)  
ID=5A  
g
S
2,0  
fs  
VDS=25V  
C
750  
170  
80  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=150V  
ID=10A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
10  
20  
d(on)  
t
30  
50  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
30  
50  
d(off)  
t
20  
30  
f
L=100µH  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
10,0  
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,15  
130  
750  
1,8  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
4,17 °C/W  
th(ch-c)  

2SK2520-01MR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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