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2SK2533

更新时间： 2024-09-24 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
1页 18K
描述
N?`???l??MOS?`?V???R???d???????g?????W?X?^� ???????X?C?b?`???O�

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2SK2533 数据手册

  
N o.  
三洋半導体開発速報  
NチャネルM OS形シリコン電解効果トランジスタ  
超高速スイッチング  
暫定規格  
2 S K 2 5 3 3  
特長  
・低オン抵抗。  
・高速ダイオ－ド内蔵。  
・面実装に対応し、工数低減およびセットの高密度化、小型化が可能となる。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings／Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流（DC）  
ドレイン電流（パルス）  
許容損失  
VDSS  
VGSS  
ID  
250  
±30  
V
13  
A
IDP  
PD  
PW ≦10μs,dutycycle≦1％  
Tc=25℃  
52  
45  
A
W
チャンネル温度  
Tch  
Tstg  
150  
℃
℃
保存周囲温度ꢀ ꢀ  
－55～＋150  
m in ꢀ typ ꢀ m ax  
unit  
電気的特性ElectricalCharacteristics／Ta=25℃  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ゲート・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
ドレイン・ソース間オン抵抗  
入力容量  
V(BR)DSS  
V(BR)GSS  
IDSS  
ID=1m A  
,VGS=0  
250  
V
V
IG=±100μA ,VGS=0  
VDS=250V , VGS=0  
VGS=±25V , VDS=0  
±30  
1.0  
±10  
3.0  
m A  
μA  
V
IGSS  
VGS(off)  
│yfs│  
RDS(on)  
Ciss  
VDS=10V  
VDS=10V  
ID=6A  
, ID=1m A  
, ID=6A  
2.0  
6.0  
10  
200  
1290  
300  
125  
22  
S
, VGS=10V  
, f=1M Hz  
, f=1M Hz  
, f=1M Hz  
270  
m Ω  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
VDS=20V  
VDS=20V  
VDS=20V  
出力容量  
Coss  
帰還容量  
Crss  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
td(on)  
tr  
下図指定回路において  
〃
〃
〃
66  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
td(off)  
tf  
320  
105  
1.0  
ダイオード順電圧  
VSD  
IS =12A  
IS =12A  
, VGS =0  
1.5  
ダイオード逆回復時間ꢀ  
trr  
, di/dt=100A/μs  
160  
ns  
スイッチングタイム測定回路図  
外形図  
ZP(unit:m m )  
VDD＝100V  
4.10  
4.10  
VIN  
3.9  
3.9  
3.9  
3.9  
10V  
0V  
3.10 3.10  
ID＝6A  
RL＝16.7Ω  
VOUT  
VIN  
PW ＝10μS  
D.C.≦1%  
D
3
G
0.3  
0.6  
1
2
1.0 1.0  
2.54 2.54  
10.0  
Bottom View  
2SK2533  
50Ω  
P.G  
S
1：Gate  
2：Sourse  
3：Drain  
※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。  
〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号  
三洋電機株式会社 半導体事業本部  
940905TM2fXHD  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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