生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF640NSTRRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON |
功能相似 |
Advanced Process Technology | |
IRF640NSPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2522-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET | |
2SK2523-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2524-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2525-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2526-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2527-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2528-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2529 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2529 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2529-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |