是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 0.82 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 330 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 75 A |
最大漏极电流 (ID): | 75 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0037 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 710 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF1404ZSTRRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1404ZS | INFINEON |
类似代替 |
Advanced Process Technology | |
IRF1404ZSPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF1404ZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1405 | KERSEMI |
获取价格 |
Electric Power Steering (EPS) | |
IRF1405 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=16 | |
IRF1405_04 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF1405L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=13 | |
IRF1405L | KERSEMI |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRF1405L | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | |
IRF1405LPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5. | |
IRF1405PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRF1405S | KERSEMI |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |