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IRF1405ZSTRLPBF PDF预览

IRF1405ZSTRLPBF

更新时间： 2024-09-13 21:20:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 392K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF1405ZSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.05
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：420 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：150 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0049 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF1405ZSTRLPBF 数据手册

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PD - 97018A  
IRF1405ZPbF  
IRF1405ZSPbF  
IRF1405ZLPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 4.9mΩ  
G
ID = 75A  
Description  
S
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating.Thesefeaturescombine  
to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRF1405ZPbF  
IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
150  
110  
75  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
@ T = 25°C  
C
(Package Limited)  
600  
230  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
1.5  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
270  
420  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
T
J
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.65  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
07/14/10  
1234567...12

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IRF1405ZSTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1405ZSTRRPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRF1405ZSTRL INFINEON

完全替代

 HEXFET® Power MOSFET
IRF1405ZSPBF INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.

与IRF1405ZSTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1405ZSTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1405ZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1407 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=
IRF1407L INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, I
IRF1407LPBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) =
IRF1407PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1407S INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, I
IRF1407SPBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) =
IRF1407STRL INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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